NAND MCP

多芯片封装(MCP)产品
          基于不同存储技术工艺在同一基板上的设计统一,革命性的晶片堆叠技术能够优化电路板的设计空间
          芯天下技术把不同存储技术产品,包括SLC NAND Flash和mobile DRAM如低功耗DDR1或DDR2设计在一个基板上。

         这种灵活的设计方式能够带来很多优势:
   1、通过把两个存储模块堆叠在一个高集成度的封装内从而建立的最短最稳固的连接,能够提升存储性能和整个系统的性能;

   2、通过多个存储芯片垂直堆叠配置,能够减少您的终端产品 PCB板设计面积的30%-40%;

   3、减少BOM表上的采购元件从而简化采购生产和节约成本;

  4、通过使用高集成度的MCP芯片可以加速产品开发进度而推进最终产品上市时间。

         芯天下技术的MCP产品线拥有丰富的存储配置组合,主要是基于2-die和3-die的堆叠封装。其中最主流的组合为1Gb+512Mb;2Gb+1Gb;4Gb+2Gb; 4Gb+4Gb (NAND和低功耗DRAM)。


        无论您是想要降低功耗,留出更多的PCB板的空间,还是加快产品速度,芯天下技术的MCP产品能够满足您对不同应用的设计需求。我们高效,高性能的的MCP将成为您的移动产品设计中不可或缺的设计元素。

电压 容量 封装 包装 型号 描述 最小起订量
1.7~1.9V 1G1GD2 BGA 162 ball T&R PN611G8C2TA-B80ET 1G NAND (Int. ECC;x8)+1G LP DDR2 (x32) 3000
PN611G8C2TA-B80IT 1G NAND (Int. ECC;x8)+1G LP DDR2 (x32) 3000
PN611G8C2TA-B8BET 1G NAND (8bit. ECC;x8)+1G LP DDR2 (x32) 3000
PN611G8C2TA-B8BIT 1G NAND (8bit. ECC;x8)+1G LP DDR2 (x32) 3000
XT61M1G8C2TA-B8BET 1G NAND (8bit. ECC;x8)+1G LP DDR2 (x32) 3000
Tray PN611G8C2TA-B80E0 1G NAND (Int. ECC;x8)+1G LP DDR2 (x32) 2420
PN611G8C2TA-B80I0 1G NAND (Int. ECC;x8)+1G LP DDR2 (x32) 2420
PN611G8C2TA-B8BE0 1G NAND (8bit. ECC;x8)+1G LP DDR2 (x32) 2420
PN611G8C2TA-B8BI0 1G NAND (8bit. ECC;x8)+1G LP DDR2 (x32) 2420
XT61M1G8C2TA-B8BEA 1G NAND (8bit. ECC;x8)+1G LP DDR2 (x32) 2420
1G256 BGA 130 Ball Tray XT60M1G6A6TW-A50EA 1G NAND (Int. ECC;x16)+256 LP DDR1 (x16) 2420
1G512D1 BGA 130 Ball Tray PN601G6B6TN-A50E0 1G NAND (Int. ECC;x16)+512 LP DDR1(x16) 2520
PN601G6B6TN-A50I0 1G NAND (Int. ECC;x16)+512 LP DDR1 (x16) 2520
1G512D2 BGA 162 ball T&R XT61M1G8B2TA-B8BET 1G NAND (8bit. ECC;x8)+512 LP DDR2 (x32) 3000
XT61M1G8B2TA-B8BIT 1G NAND (8bit. ECC;x8)+512 LP DDR2 (x32) 3000
Tray XT61M1G8B2TA-B8BEA 1G NAND (8bit. ECC;x8)+512 LP DDR2 (x32) 2420
XT61M1G8B2TA-B8BIA 1G NAND (8bit. ECC;x8)+512 LP DDR2 (x32) 2420
2G1GD1 BGA 130 Ball Tray PN602G8C2TN-A5BE0 2G NAND (8bit ECC;x8)+1G LP DDR1 (x16) 2520
PN602G8C2TN-A5BI0 2G NAND (8bit ECC;x8)+1G LP DDR1 (x16) 2520
XT60M2G8C6TN-A50EA 2G NAND (Int. ECC;x8) +1G LP DDR1 (x16) 2420
XT60M2G8C6TN-A50IA 2G NAND (Int. ECC;x8)+1G LP DDR1 (x16) 2420
2G1GD2 BGA 162 ball T&R PN612G8C2TA-B8BET 2G NAND (8bit ECC;x8)+1G LP DDR2 (x32) 3000
PN612G8C2TA-B8BIT 2G NAND (8bit ECC;x8)+1G LP DDR2 (x32) 3000
XT61M2G8C2TA-B8BET 2G NAND (8bit ECC;x8)+1G LP DDR2 (x32) 3000
Tray PN612G8C2TA-B8BE0 2G NAND (8bit ECC;x8)+1G LP DDR2 (x32) 2420
PN612G8C2TA-B8BI0 2G NAND (8bit ECC;x8)+1G LP DDR2 (x32) 2420
XT61M2G8C2TA-B8BEA 2G NAND (8bit ECC;x8)+1G LP DDR2 (x32) 2420
2G2GD2 BGA 162 ball T&R XT61M2G8D2TA-B8BET 2G NAND (8bit ECC;x8) +2G LP DDR2 (x32) 3000
XT61M2G8D2TA-B8BIT 2G NAND (8bit ECC;x8) +2G LP DDR2 (x32) 3000
Tray XT61M2G8D2TA-B8BEA 2G NAND (8bit ECC;x8) +2G LP DDR2 (x32) 2420
XT61M2G8D2TA-B8BIA 2G NAND (8bit ECC;x8) +2G LP DDR2 (x32) 2420
4G2GD2 BGA 162 ball T&R XT61M4G6D2TA-B8BET 4G NAND (8bit ECC;x16) +2G LP DDR2 (x32) 3000
XT61M4G8D2TA-B8BET 4G NAND (8bit ECC;x8) + 2G LP DDR2 (x32) 3000
XT61M4G8D2TA-B8BIT 4G NAND (8bit ECC;x8)+2G LP DDR2 (x32) 3000
XT61M4G8D2TS-B8BET 4G NAND (8bit ECC;x8)+2G LP DDR2 (x32) 3000
Tray PN614G8D2TE-B8BE01 4G NAND (8bit ECC;x8) +2G LP DDR2 (x32) 2420
XT61M4G8D2TA-B8BEA 4G NAND (8bit ECC;x8) + 2G LP DDR2 (x32) 2420
XT61M4G8D2TA-B8BIA 4G NAND (8bit ECC;x8)+2G LP DDR2 (x32) 2420
XT61M4G8D2TS-B8BEA 4G NAND (8bit ECC;x8)+2G LP DDR2 (x32) 2420

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